具有衬底穿孔的集成芯片及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种集成芯片(IC)，包括：导电结构，沿着半导体衬底的第一侧设置在介电结构内；绝缘结构，沿着所述半导体衬底的内侧壁设置，所述半导体衬底的所述内侧壁延伸穿过所述半导体衬底；阻挡层，沿着所述绝缘结构的内侧壁设置；以及衬底穿孔(TSV)，包括第一部分及第二部分，所述第一部分从所述半导体衬底的第二侧延伸到从所述绝缘结构的所述内侧壁向外突出的所述绝缘结构的水平延伸表面，所述第二部分从所述第一部分延伸到所述导电结构，并且所述第二部分的最大宽度小于所述第一部分的最大宽度。
基本信息
专利标题 ：
具有衬底穿孔的集成芯片及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267632A
申请号 ：
CN202110259090.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施宏霖刘铭棋卢玠甫
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110259090.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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