一种高孔径比衬底穿孔结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高孔径比衬底穿孔结构，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制第一金属孔，晶圆块上表面刻制电容下极板，并在电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制第一通孔，第一通孔连通至电容下极板，并在第一隔离介质层上刻制电容上极板，晶圆块下表面刻制第二金属孔，晶圆块下表面刻制背面金属走线并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层，本实用新型优化了衬底通孔的工艺流程，创新性的在衬底两面进行通孔工艺，形成更高孔径比的衬底通孔，以满足各类高性能器件设计的特殊需求。
基本信息
专利标题 ：
一种高孔径比衬底穿孔结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020255749.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN211629103U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
陈立均代文亮李苏萍
申请人 ：
上海芯波电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020255749.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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