FD-SOI衬底结构及器件结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及硅材料层。本实用新型的衬底结构采用顶锗硅层及硅材料层的堆栈结构，作为器件的沟道，该沟道不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。本实用新型的顶锗硅层上覆盖硅材料层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO₂或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。

基本信息

专利标题：

FD-SOI衬底结构及器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020792425.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-14

授权号：

CN211828770U

授权日：

2020-10-30

发明人：

徐大朋薛忠营罗杰馨柴展

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

罗泳文

优先权：

CN202020792425.1

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L29/78 H01L29/10

法律状态

2021-11-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20211115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海新微技术研发中心有限公司
变更后权利人 : 上海功成半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
变更后权利人 : 201822 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海功成半导体科技有限公司

2020-10-30 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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