一种基于SOI衬底的TVS器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于SOI衬底的TVS器件，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N‑区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N‑区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+/P‑/N‑区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NW/P+区构成TVS管。本实用新型基于SOI衬底的TVS器件大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。
基本信息
专利标题 ：
一种基于SOI衬底的TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922160191.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN210640253U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
蒋骞苑苏海伟赵德益赵志方吕海凤张啸王允张彩霞
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN201922160191.9
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/861 H01L29/06 H01L21/84
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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