一种基于Cu衬底HEMT器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于Cu衬底HEMT器件，属于HEMT器件领域。所述HEMT器件包括Cu衬底、碳掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、栅电极、源电极以及漏电极。本实用新型采用脉冲激光沉积法，在高热导率的Cu衬底上制得晶体质量优良、异质界面清晰的HEMT氮化物薄膜，包括高掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层。同时，基于上述的HEMT氮化物薄膜，成功制备了散热良好、性能稳定的Cu衬底HEMT器件。此外，本实用新型与传统的CMOS工艺相兼容，在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，为未来大功率电子器件热稳定性问题提供解决方案。
基本信息
专利标题 ：
一种基于Cu衬底HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922064221.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211295109U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
李国强唐鑫王文樑胡智凯
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201922064221.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L23/373 H01L21/335 C23C14/28 C23C14/06 C23C14/04
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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