设计的硅衬底上的GAN器件
授权
摘要
用于适应和/或控制在大直径硅衬底上在III‑N生长期间引起的应力/应变的硅上GaN(GOS)结构和技术。硅衬底的背侧可被处理以使具有标准化直径和厚度的衬底适应于GOS应用。通过对硅衬底进行预处理以便以抵消由III‑N材料引起的应力和/或提高衬底吸收应力的能力的方式对衬底预加应力，可缓解在高温外延生长过程期间的弯曲和/或翘曲。在设计的GOS衬底上加工的III‑N器件可被与在分开的衬底上加工的硅MOS器件集成在一起。用于提高衬底弹性和/或抵消由III‑N材料引起的衬底应力的结构还可被用于将3D IC的III‑N和硅MOS器件互连。
基本信息
专利标题 ：
设计的硅衬底上的GAN器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107771352A
申请号 ：
CN201580081242.0
公开（公告）日 ：
2018-03-06
申请日 ：
2015-06-26
授权号 ：
CN107771352B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
S.达斯古普塔H.W.特恩M.拉多萨夫杰维奇P.G.托尔钦斯基R.S.周
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
黄涛
优先权 ：
CN201580081242.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/8258 H01L27/06 H01L27/085
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20150626
申请日 : 20150626
2018-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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