电子器件的金刚石基衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合用作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，所述第二表面适用于进一步合成至少一个半导体层或者在所述第二表面自身上合成电子器件，所述至少一个半导体适用于电子器件，并且本发明涉及适合于GaN器件生长的包含紧密附着在硅表面上的CVD金刚石层的衬底。
基本信息
专利标题 ：
电子器件的金刚石基衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147235A
申请号 ：
CN200680009355.0
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安德鲁·J·怀特海德克里斯托弗·J·H·沃特吉奥弗瑞·A·斯卡丝布鲁克
申请人 ：
六号元素有限公司
申请人地址 ：
英国马恩岛
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200680009355.0
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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