在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法
专利申请的视为撤回
摘要
在充有选择性腐蚀气体(例如氢)的真空度不同的小室中用经电子束蒸发的固体碳源在绝缘衬底上淀积金刚石状碳膜，以便使衬底的温度维持在150℃以下。为了用带正电的离子轰击衬底同时防止排斥性表面电荷聚集，往夹持衬底的旋转夹具上加一个射频电场。抽成不同真空度的小室保持小室一端固体碳源周围的环境压强使其低得足以防止电子束能量损耗，并使碳得以蒸发，同时保持小室另一端的衬底使其处于较高的压强，从而使射频电场得以激活衬底周围的离子气体等离子体，以便淀积金刚石状碳膜。
基本信息
专利标题 ：
在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064710A
申请号 ：
CN91101620.1
公开（公告）日 ：
1992-09-23
申请日 ：
1991-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·J·坎博
申请人 ：
博士伦有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN91101620.1
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/06 G02B1/10 G02B1/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
1995-11-08 ：
专利申请的视为撤回
1992-09-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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