大尺寸晶圆上制备金刚石衬底太赫兹二极管的方法
授权
摘要
本发明提供了一种大尺寸晶圆上制备金刚石衬底太赫兹二极管的方法，属于半导体制造技术领域，包括：晶圆衬底上依次生长刻蚀终止层、缓冲层和N+层；在N+层上生长沉积键合层；在正面硅晶圆的正面生长键合层，高温直接键合形成正面结合层；在刻蚀终止层上沉积金刚石衬底；在金刚石衬底背面沉积键合层；在背面硅晶圆的正面生长键合层；高温直接键合形成背面结合层；在N+层正面沉积N‑层；在N‑层正面制作二极管电路；移除背面结合层及背面硅晶圆。本发明采用双面二氧化硅键合工艺，通过减薄肖特基二极管衬底厚度，降低寄生电容，提高截止频率；利用金刚石超高的热导率，增强散热能力，降低倍频器件的工作温度，提高肖特基二极管的倍频效率。
基本信息
专利标题 ：
大尺寸晶圆上制备金刚石衬底太赫兹二极管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112967923A
申请号 ：
CN202110160989.2
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2021-02-05
授权号 ：
CN112967923B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
宋旭波梁士雄吕元杰王元刚敦少博韩婷婷马春雷冯志红
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
柳萌
优先权 ：
CN202110160989.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/60 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20210205
申请日 : 20210205
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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