在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题，有利于金刚石薄膜的均匀性，提高形核密度。从而获得高质量的GaN薄膜。
基本信息
专利标题 ：
在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284132A
申请号 ：
CN202111548864.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶涛张东祺胡文晓叶煜聪陈凯智婷刘斌谢自力张荣
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202111548864.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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