在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形成一层镁掩模层或金属过渡层，然后再形成一层金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝氮半导体层；先在硅衬底上形成一层金属过渡层，然后再分别依次向上形成一层第一铟镓铝氮半导体层、镁掩模层和第二铟镓铝氮半导体层。本发明可以减少硅衬底上生长的铟镓铝氮材料的位错密度，提高晶体质量。

基本信息

专利标题：

在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1770484A

申请号：

CN200510030319.X

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

江风益王立方文卿

申请人：

南昌大学

申请人地址：

330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所

代理机构：

江西省专利事务所

代理人：

张文

优先权：

CN200510030319.X

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L21/20 H01S5/00

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20070919
终止日期 : 20180930

2016-09-28 ：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101739533926
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20070919
申请日 : 20050930
专利号 : ZL200510030319X
登记号 : 2015990000219
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行
解除日 : 20160829

2015-05-13 ：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

专利权质押合同登记的生效发明名称 : 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20070919
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101713970306
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL200510030319X
登记号 : 2015990000219
登记生效日 : 20150320
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行

2013-12-25 ：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101679661359
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20070919
申请日 : 20050930
专利号 : ZL200510030319X
登记号 : 2009360000554
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行南昌市高新开发区支行
解除日 : 20131107

2009-08-05 ：

专利权的质押、保全及解除(专利权的质押(保全))

质押(保全) : 质押
登记生效日 : 20090526

2007-09-19 ：

授权

2006-08-30 ：

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南昌大学
变更后权利人 : 晶能光电（江西）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所
变更后权利人 : 330047江西省南昌市南京东路235号
登记生效日 : 20060804

2006-07-05 ：

实质审查的生效

2006-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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