一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器。包括:提供薄膜转移衬底,所述薄膜转移衬底具有相对的第一表面和第二表面;对所述薄膜转移衬底进行离子注入,以在所述薄膜转移衬底内形成注入损伤层;所述离子注入的方向为自所述第一表面至所述第二表面;提供支撑衬底,所述支撑衬底具有相对的第三表面和第四表面;将所述支撑衬底的所述第三表面与所述薄膜转移衬底的所述第一表面键合,得到键合衬底;对所述键合衬底进行热处理,在所述热处理过程中对所述键合衬底施加预设大小的形变限制压力,以使所述键合衬底沿所述注入损伤层进行剥离,得到所述异质薄膜衬底。本申请通过预设大小的形变限制压力,保证键合衬底在剥离时,转移薄膜层的完整性。
基本信息
专利标题 :
一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114448372A
申请号 :
CN202111508853.2
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
欧欣李忠旭黄凯
申请人 :
上海新硅聚合半导体有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
苗芬芬
优先权 :
CN202111508853.2
主分类号 :
H03H3/02
IPC分类号 :
H03H3/02 H03H3/08
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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