基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积铝酸锶薄膜；(2)在铝酸锶薄膜上沉积氧化镓薄膜；(3)在氧化镓薄膜上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延；(4)将外延完成的样品置于水中，铝酸锶薄膜溶解，得到自支撑的GaN薄膜或厚膜。本发明提供了一种简单的获得自支撑GaN衬底的方法，采用铝酸锶薄膜作为牺牲层，铝酸锶薄膜溶于水即可实现衬底与外延膜的自分离，而氧化镓层的作用是提供可以高质量外延GaN的缓冲层或多孔模板，同时可以降低后续外延的GaN薄膜材料中应力及位错密度。

基本信息

专利标题：

基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420534A

申请号：

CN202111542968.3

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2021-12-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

修向前朱宇霞陶涛张荣

申请人：

南京大学

申请人地址：

江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

代理机构：

江苏斐多律师事务所

代理人：

张佳妮

优先权：

CN202111542968.3

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211216

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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