本发明公开了一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺，配料：将原料SrCO₃、Al₂O₃按照化合反应比置于烧杯中；搅拌：将其加入原料的烧杯，加入无水乙醇后，混合；烘干：将搅拌好的样品进行烘干，致无水乙醇完全挥发；前驱料棒制备：上述样品粉末置于圆柱形模具中，并由等静压机高压下压致成型；烧结：将制备好的前驱料棒置于高温炉中烧结形成多晶陶瓷料棒；晶体生长：将多晶陶瓷料棒置于光学浮区炉中进行单晶体的生长；退火处理：将生长出的单晶体置于高温炉中进行退火处理以消除残余应力，光学基质材料铝酸锶熔点高达1500摄氏度以上，采用光学浮区法成功生长出无色、透明、大尺寸的高质量铝酸锶单晶，为长余辉基质材料带来了新的进展。