一种用于焰熔法制备钪酸镝单晶体前驱体的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明属于一种用于焰熔法制备钪酸镝单晶体前驱体的制备方法,其以钪和镝氧化物为原料,按比例混合后在一定温度下溶解于双氧水和硝酸溶液。加入沉淀剂,继续升温,沉淀剂水解后发生共沉淀反应,下降至室温后水洗干燥,然后煅烧,得到钪酸镝粉体。沉淀剂为尿素和碳酸铵中的一种或其混合物。本发明工艺简单,制备成本低,易于工业化放大制备。所制备的产品是一种极佳的多铁薄膜衬底材料前驱体,晶体基片与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配,可以用于超导材料、低能量、高灵敏度的磁存储器、磁传感器或高度可调的微波器件等领域。

基本信息
专利标题 :
一种用于焰熔法制备钪酸镝单晶体前驱体的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114351240A
申请号 :
CN202210007709.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵海刘俊清唐坚李英杰刘瑾牛微毕孝国董颖男郁晶晶赵尔确
申请人 :
沈阳工程学院
申请人地址 :
辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
代理机构 :
沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
屈芳
优先权 :
CN202210007709.9
主分类号 :
C30B11/10
IPC分类号 :
C30B11/10  C30B29/22  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/04
熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B11/08
晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的
C30B11/10
固态组分或液态组分,例如焰熔法
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/10
申请日 : 20220106
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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