一种用于焰熔法生长金红石单晶体的生长室
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型属于材料设备制备领域,尤其涉及一种用于焰熔法生长金红石单晶体的生长室,该生长室包括芯体,所述芯体分为上段、中段以及下段,所述上段、中段以及下段采用榫槽连接为一体,芯体的外部具有不锈钢炉壳,在所述不锈钢炉壳与所述芯体之间具有保温岩棉层。生长室采用分体设计,受高温后有膨胀空间,不会产生裂纹,同时榫槽连接和保温岩棉的作用也保证了生长室内的温度梯度,因此生长室可以重复使用多次,减轻劳动力和增加晶体生长成功率。
基本信息
专利标题 :
一种用于焰熔法生长金红石单晶体的生长室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920941964.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-21
授权号 :
CN210237836U
授权日 :
2020-04-03
发明人 :
唐坚王昊聂明月李宁宁毕孝国董颖男李英杰
申请人 :
沈阳工程学院
申请人地址 :
辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
代理机构 :
沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
屈芳
优先权 :
CN201920941964.4
主分类号 :
C30B11/10
IPC分类号 :
C30B11/10 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/04
熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B11/08
晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的
C30B11/10
固态组分或液态组分,例如焰熔法
法律状态
2021-03-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 11/10
登记生效日 : 20210222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 沈阳工程学院
变更后权利人 : 沈阳鑫谱晶体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
变更后权利人 : 110000 辽宁省沈阳市浑南区上深沟村860-2号沈阳国际软件园F7号453室
登记生效日 : 20210222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 沈阳工程学院
变更后权利人 : 沈阳鑫谱晶体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
变更后权利人 : 110000 辽宁省沈阳市浑南区上深沟村860-2号沈阳国际软件园F7号453室
2020-04-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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