金红石单晶生长工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用EFG晶体生长工艺制取没有大角度晶界的金红石单晶。该工艺是将具有许多狭缝的导模浸入熔体2中，使熔体通过各缝隙上升到达导模的上表面，然后通过提拉生长制取形状与导模一致的单晶。
基本信息
专利标题 ：
金红石单晶生长工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067458A
申请号 ：
CN92104265.5
公开（公告）日 ：
1992-12-30
申请日 ：
1992-05-30
授权号 ：
CN1029327C
授权日 ：
1995-07-12
发明人 ：
町田博福田承生千川圭吾
申请人 ：
秩父水泥株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN92104265.5
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2007-08-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-02-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 株式会社东金
变更后 : NEC东金株式会社
变更前 : 株式会社东金
变更后 : NEC东金株式会社
2002-06-12 ：
其他有关事项
1999-08-18 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 秩父小野田株式会社
变更后 : 株式会社东金
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本仙台市
变更前 : 秩父小野田株式会社
变更后 : 株式会社东金
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本仙台市
1996-12-18 ：
著录项目变更
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 秩仑水泥株式会社
变更后 : 秩仑小野田株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 秩仑水泥株式会社
变更后 : 秩仑小野田株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
1995-07-12 ：
授权
1994-08-03 ：
实质审查请求的生效
1992-12-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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