一种GaAs单晶生长工艺
实质审查的生效
摘要
本申请涉及单晶生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。本申请的GaAs单晶生长工艺，包括如下步骤：S1、多晶合成：（1）装料：将砷和镓放入炉中；（2）合成多晶：调整炉内压强以及温度至多晶物料完全熔化，降温；（3）冷却出炉：降低温度，取出即得多晶半成品；S2、多晶清洗：将多晶半成品置于清洗液中清洗，即得多晶成品；S3、单晶生长：（1）装料：向石英坩埚装入籽晶、多晶成品、余砷，放入石英安培瓶内并抽真空、烘烤、封焊；（2）装炉：依VGF工艺装入炉中；（3）长晶：依VGF工艺完成单晶生长，即得。本申请制得的GaAs单晶质量佳。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs单晶生长工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540955A
申请号 ：
CN202210171746.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周雯婉
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210171746.3
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B28/06 C30B33/00 B08B3/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/42
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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