大直径铌酸锂单晶生长设备及工艺
被视为撤回的申请
摘要
本发明属于铌酸锂单晶的生长方法。采用电阻炉 提拉法生长铌酸锂单晶，在电阻炉炉膛的上部空间 装置一耐火材料锥面热辐射罩，使液面上部的温度 梯度降低到 ，晶体所在的空 间温度保持在居里点之上，并用铂铑籽晶杆代替铂 籽晶杆。拉制的单晶直径在Φ120-200m/m，重量在 5-10kg，大大提高了晶体生长效率，节省了人力和 能源。
基本信息
专利标题 ：
大直径铌酸锂单晶生长设备及工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104969A
申请号 ：
CN85104969
公开（公告）日 ：
1987-01-07
申请日 ：
1985-06-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马传玺孔宝国赵军令张国宾周亭亭
申请人 ：
轻工业部玻璃搪瓷工业科学研究所
申请人地址 ：
上海市新华路365弄6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN85104969
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/14 C30B15/36 C30B29/30
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1988-08-10 ：
被视为撤回的申请
1987-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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