用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备
专利权的终止
摘要
一种用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备，是以经过提纯的碘化铅粉末为原料，在专用的安瓿中完成。依次包括清洁安瓿、装料并除气封瓿、生长与冷却四个工艺步骤。该方法能够抑制碘化铅熔体的分解与碘的蒸发，能够排除分凝的铅。与该方法配套的专用安瓿用石英管制作，由封闭端呈“枣形”的籽晶袋(1)、生长室(2)、连通器(3)、铅液管(4)、装料管(5)、挂钩(6)构成组合体。装料后的安瓿放入两段温度区域垂直管式炉中，完成晶体生长过程。该方法制备的单晶体呈现均匀的桔红色半透明状态、应力小，尺寸可达Φ(15～20)×30毫米，刚生长出的单晶体的电阻率可达1012Ω·cm～1013Ω·cm，因而应用面广，特别适合于制作室温核辐射探测器。
基本信息
专利标题 ：
用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1834311A
申请号 ：
CN200610020393.8
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金应荣朱兴华贺毅朱世富赵北君栾道成
申请人 ：
西华大学
申请人地址 ：
610039四川省成都市西郊西华大学科技处
代理机构 ：
成都虹桥专利事务所
代理人 ：
马昌军
优先权 ：
CN200610020393.8
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004433826
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006100203938
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20080806
号牌文件序号 : 101004433826
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006100203938
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20080806
2008-08-06 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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