本实用新型公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10^‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时，主舟与长晶套管由石英磨砂连接，主舟内形成密闭空间，加热料舟至目标温度，控制加热炉以一个与晶体生长速率相匹配的恒定速度沿炉腔轴向移动，从而使在长晶过程中ZnTe晶体的固气界面始终保持恒定的生长温场环境，实现ZnTe单晶的稳定生长。