二氧化碲单晶体的生长技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO2)单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30～100％。
基本信息
专利标题 ：
二氧化碲单晶体的生长技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107803A
申请号 ：
CN85107803.6
公开（公告）日 ：
1987-04-15
申请日 ：
1985-10-09
授权号 ：
CN1005159B
授权日 ：
1989-09-13
发明人 ：
蒲芝芬葛增伟
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN85107803.6
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B11/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
1995-11-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-05-02 ：
授权
1989-09-13 ：
审定
1986-07-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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