一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置
授权
摘要
一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体生长设备技术领域，具体包括设备壳体：设备壳体顶端设置有顶温层升降器，顶温层升降器的活动端与顶部保温层固定连接，设备壳体底端设置有一组底温层升降器，低温层升降器与底部保温层固定连接，设备壳体下方还设置有一组坩埚升降器，坩埚升降器穿过底部保温层升降器和底部保温层与坩埚托盘固定连接，坩埚托盘上设置有生长坩埚，生长坩埚周围设置有坩埚加热器，坩埚加热器的外端设置有侧面保温层；本实用新型操作简单，可以精确的保证在同一炉次同一坩埚位置得到期望的坩埚顶和坩埚底的温差.为工艺研发和调试实验过程节省了大量的时间和成本。
基本信息
专利标题 ：
一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921015642.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN210151238U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
赵丽丽范国峰张胜涛袁文博刘德超
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈丽
优先权 ：
CN201921015642.3
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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