用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置
授权
摘要
本发明公开了用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置，包括：在进行直径2英寸至8英寸的碳化硅单晶体生长时，在坩埚上安装针对单晶体生长形态起到决定性作用的内部支撑管，为了能够对单晶体生长部分实现自由温度梯度调控，在此还设计安装了外部温度控制的高密度密封碳环，通过内部支撑管腔体的温度梯度变化结晶形态和品质也会有所不同；可以说用于结晶生长工艺中的温度梯度制作成本低廉且具有明显的效果，可以由此根据碳化硅单晶体生长的热应力和温度分布控制避免可能出现的晶体多型现象。另一方面，通过本方案还可使晶体生长部位保持要求的工艺温度标准，进而提升晶体生长的合格率。
基本信息
专利标题 ：
用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022053565.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213538157U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
李钟海徐洙莹裴悠松
申请人 ：
山东国晶电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省东营市东营区云门山路1123号东营区石油科技产业园1期1号
代理机构 ：
济南智本知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张平平
优先权 ：
CN202022053565.X
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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