一种温度可控的晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种温度可控的晶体生长装置，包括保温壳体，所述保温壳体的底部四角外壁均固定安装有支撑垫，所述保温壳体的内壁固定安装有生长壳体，所述生长壳体两端的两侧外壁均开设有第一凹槽，且第一凹槽的内壁均固定安装有竖直设置的电动导轨，所述电动导轨的外壁均滑动连接有电动滑块，且四个电动滑块之间固定安装有同一个支撑板。本实用新型中，该温度可控的晶体生长装置，通过设置有保温壳体和生长壳体，并在保温壳体一端的底部设置有抽气管，可以在抽气管外外接真空泵，由真空泵将保温壳体和生长壳体之间进行抽真空处理，进而保证了生长壳体内部的保温效果，以便提高装置的节能效果。
基本信息
专利标题 ：
一种温度可控的晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022257631.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN213327944U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
李中波
申请人 ：
上海御光新材料科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路1355号C幢2楼
代理机构 ：
上海浙晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨秀伟
优先权 ：
CN202022257631.5
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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