一种晶体生长用温度梯度调节装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本申请提供了一种晶体生长用温度梯度调节装置,包括旋转接头、连接座和套设有籽晶杆外壳的籽晶杆,通过将水管道和气管道同时设置在籽晶杆的设备上,提供了一种用于晶体生长的可以同时实现水冷气冷温度梯度调节的装置技术,通过控制气体和液体的流量与压力,带走籽晶杆上的热量,使得晶体沿籽晶晶向缓慢生长,在生长过程中,还可以通过改变热场温度,籽晶杆的旋转速度和拉升速度等参数控制晶体的生长速度。本申请提供的晶体生长用温度梯度调节装置,解决了现有技术中单独水冷的籽晶轴结构热场温度难以控制,一旦设计定型,温度梯度不能调整的问题,为晶体生长技术领域提供了技术支持。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长用温度梯度调节装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921845649.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN211256155U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
张国华姜杨斌汪海波陈虹徐永亮于海群
申请人 :
浙江昀丰新材料科技股份有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市金东区宏济街755号万达广场4幢1015室
代理机构 :
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN201921845649.8
主分类号 :
C30B29/20
IPC分类号 :
C30B29/20  C30B17/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/20
铝的氧化物
法律状态
2020-10-09 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/20
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江昀丰新材料科技股份有限公司
变更后 : 浙江昀丰新材料科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 321000 浙江省金华市金东区宏济街755号万达广场4幢1015室
变更后 : 321000 浙江省金华市金东区康济北街1378号综合楼四楼
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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