一种晶体生长温度控制系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉和控制器，晶体生长炉内设有坩埚，坩埚的底端连接有旋转装置，坩埚的左侧设有平行于晶体生长炉的升降装置，升降装置上滑动连接有第一加热板，坩埚的右侧设有第二加热板，第二加热板包括上部加热区、中部加热区和下部加热区，下部加热区与第一加热板的加热面积相等，坩埚的后方设有多个非接触式温度传感器，多个非接触式温度传感器的感应端分别与坩埚的上部、中部和下部对应，控制器内设有第一通讯模块，控制器连接有远程控制端。本实用新型通过控制器控制第一加热板在升降装置上移动，最终达到调控热场的目的，第二加热板可以针对坩埚不同部位提高温度，旋转装置使得坩埚受热均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长温度控制系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022395215.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN213447385U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
夏钰坤夏宗仁曹义育曹远虎程红鹏张婷夏文英
申请人 ：
江西匀晶光电技术有限公司
申请人地址 ：
江西省九江市开发区长城路121号恒盛科技园内
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022395215.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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