本实用新型公开了一种基于温度预测补偿的直拉式晶体生长炉。在提升腔内安装有籽晶头，籽晶提升、籽晶旋转控制部件，在炉筒内安装有坩埚、坩埚提升、坩埚旋转控制部件，硅晶体原料放在坩埚内，坩埚外面包有坩埚加热控制部件，冷却水则贯穿炉筒内硅晶体原料液面的上部，以及整个提升腔，炉筒的上方装有单晶直径传感器，对准硅晶体原料液面位置，在炉筒的上部安装有抽真空部件，在提升腔的最上部以及炉筒的最下部装有氩气充气部件。采用带预测补偿功能的晶体生长控制策略，对坩埚内熔液温度、坩埚与籽晶提升速度、旋转速度等参数进行协调控制，在仅采用红外探测型单晶直径传感器的条件下，仍能达到与进口炉相当的晶体产品完整性与均匀性，达到电路级要求。