一种碳化硅晶体生长的温度控制装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅晶体生长的温度控制装置及方法，其通过将籽晶托的热量辐射方式改变为热传导方式，再利用半导体散热体特性，通过控制器控制半导体散热体的端电压，使石墨体传导的热流量变为可控的变量，从而实现一种简单直接的控制生长界面的温度与生长速率方式。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体生长的温度控制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022305481.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN212476951U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
叶宏伦洪天河
申请人 ：
璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗恒兰
优先权 ：
CN202022305481.0
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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