本发明公开了一种碳化硅晶体生长的控制方法及装置，其属于晶体生长技术领域，碳化硅晶体生长的控制方法包括先控制籽晶靠近助熔剂移动，并浸入助熔剂，直至称重机构的测量值变化至第一设定值；控制所述籽晶远离所述助熔剂移动，直至所述称重机构的测量值由所述第一设定值增大至第二设定值；根据所述称重机构的测量值的变化计算生长的碳化硅晶体的生长直径；根据所述碳化硅晶体的生长直径调节所述籽晶远离所述助熔剂移动的速度。本发明能够根据碳化硅晶体的生长情况控制籽晶的移动速度，降低籽晶移动过快或过慢的几率，进而保证生长的碳化硅晶体的品质。