碘化汞单晶体的生长装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型是一种制备碘化汞单晶体的装置，由安瓿、加热器和温度控制器组成，并用钟罩将安瓿和加热器罩在平台上构成一个立式炉。安瓿支承在一个转轴上，转轴由电动机带动，利用源与晶体之间一定的温差自发成核，并进行晶体生长，从而获得性能优良的室温核辐射探测器晶体。
基本信息
专利标题 ：
碘化汞单晶体的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90215080.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-11-02
授权号 ：
CN2080071U
授权日 ：
1991-07-03
发明人 ：
陈观雄朱世富李正辉银淑君冉玉俊韩斌赵北君
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九跟桥四川大学
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘双兰
优先权 ：
CN90215080.4
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
1994-12-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-03-18 ：
授权
1991-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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