单晶体的制备方法和硅晶体
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单晶体的制备方法和硅晶体。其制备方法包括：在等径生长阶段，根据方程Gh＝a*h2+b*h+G0得到Gh，根据方程GH＝k*H+G0得到GH，其中，a和b为常数，h及H为相对于固液界面高度，分别取值为‑10～0mm、0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，GH为距离固液界面H区域处的轴向温度梯度；在固液界面至第一参考面区域内调整温度梯度至Gh，在固液界面至第二参考面区域内调整温度梯度至GH。该方法通过量化控制固液界面上方及下方区域内轴向温度梯度，使形成的I型和V型点缺陷在固液界面处扩散和再复合，减小点缺陷形成浓度，控制微缺陷的尺寸，增加完美晶体窗口宽度。
基本信息
专利标题 ：
单晶体的制备方法和硅晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481302A
申请号 ：
CN202111619092.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王双丽陈俊宏
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄德海
优先权 ：
CN202111619092.8
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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