一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法
专利申请的驳回
摘要
本发明属于红外热释电材料。TGFb单晶体是一种优良的热释电材料，但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用HBF4部分取代TGFb中的H2BeF4合成出新型TGFbFb热释电材料。采用本法易于生长出大尺寸的完整晶形的晶体；本材料的热释电系数(P)比TGFb单晶体的P值提高20％，优值比(P/ε)＞1.93×10-9(库/厘米2·度)，居里温度＞72℃；TGFbFb单晶可用于制作红外器件，其灵敏度比TGFb高，且使用的温度范围宽。
基本信息
专利标题 ：
一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1049690A
申请号 ：
CN89106608.X
公开（公告）日 ：
1991-03-06
申请日 ：
1989-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑吉民车云霞申泮文
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
王惠林
优先权 ：
CN89106608.X
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 C30B7/08 H01L37/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
1995-05-17 ：
专利申请的驳回
1991-10-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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