非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al2O3) n，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al2O3原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。选择适当的n值，晶体可形成不同的光学效应和作为不同的材料用途，尤其在n＝3尖晶石同GaN材料之间的晶格失配小，易于加工，可以形成高质量的GaN衬底材料。
基本信息
专利标题 ：
非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1844492A
申请号 ：
CN200610024952.2
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴锋夏长泰徐军裴广庆张俊刚吴永庆
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200610024952.2
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2008-04-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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