改性热释电单晶体的合成方法
专利申请的驳回
摘要
本发明关于红外热释电材料。 纯TGS单晶体作为热解电材料，目前广泛地用于制作红外传感器，热显象管、遥感遥控仪及红外探测器等方面，但其热释电系数(P)和优值比(P/ε)还不太理想。本发明是使用其它无机酸部分取代TGS的硫酸而制得改性的TGS单晶体，其P值可达4.0～7.8×10-8(库/cm2·度)，P/ε可达2.2×10-9(库/cm2·度)。使用改性的TGS单晶体制出的器件的灵敏度可大大提高。
基本信息
专利标题 ：
改性热释电单晶体的合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034401A
申请号 ：
CN88100273.9
公开（公告）日 ：
1989-08-02
申请日 ：
1988-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申泮文郑吉民车云霞范京富李兆阳
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
谭海安
优先权 ：
CN88100273.9
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 H01L31/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
1995-07-19 ：
专利申请的驳回
1991-07-17 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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