一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法
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摘要
本发明公开了一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法，所述方法包括：将锰方硼石晶体粉末置于石英管中，以5‑10℃/min的升温速率，升到950‑1050℃，保温2‑4h；然后在第一时间段内降温至700‑900℃，接着在第二时间段内降温至400‑500℃，之后炉冷，得到所述锰方硼石单晶热释电材料。本发明的熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法制备的锰方硼石单晶热释电材料，具有优异的热释电，且该方法制备成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113265699A
申请号 ：
CN202110534979.0
公开（公告）日 ：
2021-08-17
申请日 ：
2021-05-17
授权号 ：
CN113265699B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
赵长春郭杰森孙瑞锦孟德忠马宇欣张泽宇陈飞刘天明汪强强武岳彤侯东旭
申请人 ：
中国地质大学（北京）
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路29号
代理机构 ：
北京知呱呱知识产权代理有限公司
代理人 ：
杜立军
优先权 ：
CN202110534979.0
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20210517
申请日 : 20210517
2021-08-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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