高灵敏度热释电单晶体的合成方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于红外热释电材料。本发明使用无机酸(HBF4)部分取代LATGS中的硫酸制得LATGS/Fb单晶体，其热释电系数(P)值可达6.4-7.8库/厘米2·度，优质比(P/ε)可达1.8-2.2×10(库/厘米2·度)，可用于制作高灵敏度的红外热释电器件。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏度热释电单晶体的合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050230A
申请号 ：
CN89107151.2
公开（公告）日 ：
1991-03-27
申请日 ：
1989-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑吉民李兆阳车云霞申泮文
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
王惠林
优先权 ：
CN89107151.2
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 H01L37/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
1993-01-20 ：
专利申请的视为撤回
1991-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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