一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法

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摘要

一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为400~420℃，梯度区长度约为15cm，温度梯度控制在20~24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出现短路，载流子迁移率高，由于其较大的尺寸，可直接以单晶结构应用于光电探测领域，从而提高探测器性能。

基本信息

专利标题：

一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113235166A

申请号：

CN202110520744.6

公开（公告）日：

2021-08-10

申请日：

2021-05-13

授权号：

CN113235166B

授权日：

2022-05-27

发明人：

程江李璐柏栋予李颖唐华

申请人：

重庆文理学院

申请人地址：

重庆市永川区红河大道319号

代理机构：

重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李靖

优先权：

CN202110520744.6

主分类号：

C30B29/46

IPC分类号：

C30B29/46 C30B11/00