一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法
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摘要
一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法，它涉及硒化镓单晶体生长的方法。它是要解决现有的硒化镓晶体的解理面的方向无法控制的技术问题。本发明的方法：先用垂直双温区管式电阻炉合成GaSe多晶，然后接着通过控制径向温度梯度、纵向温度梯度、石英管的转速和坩埚下降速率来调控GaSe单晶生长方向，进行晶体生长。本发明的方法可以根据需要调整解离层与坩埚纵向轴线的角度，利于器件制备时对晶体的切割，晶体利用率高，可用于晶体生长领域。
基本信息
专利标题 ：
一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113046831A
申请号 ：
CN202110230724.5
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-02
授权号 ：
CN113046831B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
马天慧李兆清王春艳张红晨林鹏
申请人 ：
黑龙江工程学院
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市道外区东直路234号
代理机构 ：
哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王艳萍
优先权 ：
CN202110230724.5
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20210302
申请日 : 20210302
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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