磷酸镓晶体的助熔剂生长法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种磷酸镓晶体的助熔剂生长法。该法以碳酸锂—氧化钼作助熔剂，以氧化镓及磷酸二氢铵为原料，将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶1.23∶1.12∶6.57的重量比称量，混合均匀后放入铂金坩埚中，在生长炉中加热熔融，再冷却至溶液饱和点温度之上10－20℃，得到磷酸镓与助熔剂的混合熔体；将籽晶引入生长炉，待籽晶开始熔化后，将温度降至饱和点以上1－2℃，同时以30转/每分钟的旋转速率旋转，24小时后开始降温，生长结束后，从溶液中提出晶体，以30℃/小时的降温速率降至200℃后，自然冷却至室温。本发明可以有效的消除晶体内水的含量，提高磷酸镓晶体的压电性能。

基本信息

专利标题：

磷酸镓晶体的助熔剂生长法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1763264A

申请号：

CN200510044842.8

公开（公告）日：

2006-04-26

申请日：

2005-10-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王继扬李静梁曦敏

申请人：

山东大学

申请人地址：

250061山东省济南市历下区经十路73号

代理机构：

济南圣达专利商标事务所

代理人：

王书刚

优先权：

CN200510044842.8

主分类号：

C30B9/12

IPC分类号：

C30B9/12 C30B29/14