一种硼酸铯锂晶体助熔剂及晶体生长方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种硼酸铯锂晶体助熔剂及晶体生长方法，采用Cs2O–Li2O–MoO3–金属氟化物体系作为助熔剂，待生长原料完全熔化后，经晶体生长得到。通过本发明可以大幅降低晶体生长温度，其温度范围在750～790℃之间，可以极大降低体系的挥发度，防止自发结晶的形成，提高生长体系的稳定性；可以明显降低溶液的粘度，利于传质传热的进行，提高了晶体生长速度和晶体品质，可稳定生长出一系列大尺寸、高光学质量CLBO晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种硼酸铯锂晶体助熔剂及晶体生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262932A
申请号 ：
CN202111412686.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡章贵耿栋朱显超
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区滨水西道391号
代理机构 ：
天津佳盟知识产权代理有限公司
代理人 ：
李淑惠
优先权 ：
CN202111412686.1
主分类号 ：
C30B9/12
IPC分类号 ：
C30B9/12 C30B29/22 G02F1/355
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B9/00
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B9/04
熔融溶液冷却法
C30B9/08
使用其他溶剂的
C30B9/12
盐溶剂，例如助熔剂生长
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 9/12
申请日 : 20211125
申请日 : 20211125
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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