助熔剂法生长磷酸钛氧钾晶体的工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
助熔剂法生长KTP晶体的一种工艺，属盐熔液冷却法生长晶体的技术领域。以KPO3和K4P2O7为助熔剂，将一定配比的原料放入铂坩埚中，电炉丝加热。TiO2+KPO3 KTiOPO4■(KTP)原料全部熔化后降至饱和点，顶部下籽晶并旋转之。不断降温生长，周期1～2月。本发明的工艺和装置，操作简便，效果良好，适用于工业生产。
基本信息
专利标题 ：
助熔剂法生长磷酸钛氧钾晶体的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100393A
申请号 ：
CN86100393.4
公开（公告）日 ：
1987-09-02
申请日 ：
1986-01-22
授权号 ：
CN86100393B
授权日 ：
1988-03-02
发明人 ：
刘跃岗徐斌韩建儒蒋民华
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市郊区洪家楼5号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN86100393.4
主分类号 ：
C30B29/14
IPC分类号 ：
C30B29/14 C30B9/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/14
磷酸盐
法律状态
2000-03-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1988-10-26 ：
授权
1988-03-02 ：
审定
1987-09-02 ：
公开
1986-11-05 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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