磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
KTP单晶的熔盐生长方法，是一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4，简称KTP)的生长方法。本发明采用KTiOPO4化合物为原料、多磷酸钾为熔剂生长KTP单晶的熔盐生长法。介绍了晶体生长所需要的装置和必要的参数，指出KTiO-PO4化合物和多磷酸钾的重量比为1∶19～2∶3之间，生长条件是：先升温至950°～1100℃，然后降温至920°～800℃，并使熔体产生相对运动，保持0.5°～5℃/cm的温度梯度，生长周期为10～60天，能长出最大为13×20×15mm3的KTP单晶。
基本信息
专利标题 ：
磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100836A
申请号 ：
CN85100836.4
公开（公告）日 ：
1986-08-06
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100836B
授权日 ：
1988-07-20
发明人 ：
沈德忠黄朝恩
申请人 ：
国家建筑材料工业局人工晶体研究所
申请人地址 ：
北京市东郊东坝
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN85100836.4
主分类号 ：
C30B29/14
IPC分类号 ：
C30B29/14 C30B9/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/14
磷酸盐
法律状态
1991-08-07 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-07-20 ：
审定
1986-08-06 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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