用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶

专利权的终止

摘要

用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶，属晶体生长工艺。其生长方法包括配料、下籽晶、生长和出炉四个步骤。本法所用籽晶中心钻孔，并将籽晶杆旋入或插入孔中以固定籽晶；籽晶取向为与C轴成0-60度的夹角；降温速率为0.01℃-0.1℃/小时，晶体转动速率为0-30转/分，出炉方式可用直接提起退火或转炉倒液法。用此改进方法，可稳定地生长出∮80-150mm、中心厚度达25-35mm的优质透明大单晶。

基本信息

专利标题：

用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1086552A

申请号：

CN92112921.1

公开（公告）日：

1994-05-11

申请日：

1992-11-04

授权号：

CN1032072C

授权日：

1996-06-19

发明人：

江爱栋

申请人：

中国科学院福建物质结构研究所

申请人地址：

350002福建省福州市西河

代理机构：

中国科学院福建物质结构研究所专利事务所

代理人：

何小星

优先权：

CN92112921.1

主分类号：

C30B29/22

IPC分类号：

C30B29/22 C30B9/12

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/16

氧化物

C30B29/22

复合氧化物

法律状态

2012-12-26 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101371126773
IPC(主分类) : C30B 29/22
专利号 : ZL921129211
申请日 : 19921104
授权公告日 : 19960619
期满终止日期 : 20121104

2007-05-02 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 福建福晶科技有限公司
变更后 : 福建福晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 350002福建省福州市杨桥西路155号
变更后 : 350002福建省福州市杨桥西路155号

2003-07-23 ：

专利申请权、专利权的转移专利权的转移

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院福建物质结构研究所
变更后权利人 : 福建福晶科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 福建省福州市西河
变更后权利人 : 福建省福州市杨桥西路155号
登记生效日 : 20030606

2002-06-12 ：

其他有关事项

1996-06-19 ：

授权

1995-01-25 ：

实质审查请求的生效

1994-05-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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