一种籽晶生长装置
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摘要
本实用新型提供一种籽晶生长装置，所述装置包括坩埚盖、中继环和坩埚底，其中，所述坩埚盖盖合于所述中继环的上方开口，所述中继环包括底盖，所述底盖呈上表面通孔和下表面通孔的类圆台状，与所述坩埚底活动连接。本实用新型提供的籽晶生长装置通过中继环提高碳化硅长晶的效率以及生长的稳定性，各部件之间的活动连接的设计使得该装置可以进行多次使用，降低使用成本。
基本信息
专利标题 ：
一种籽晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922044071.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN211713255U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
匡怡君
申请人 ：
上海联兴商务咨询中心
申请人地址 ：
上海市奉贤区沿钱公路5601号1幢
代理机构 ：
北京市海问律师事务所
代理人 ：
陈吉云
优先权 ：
CN201922044071.2
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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