本实用新型公开了一种碳化硅籽晶生长表面的图形化处理装置。所述处理装置包括：壳体，所述壳体内具有一刻蚀腔体，所述刻蚀腔体一侧设有刻蚀气体入口，另一侧设有压力控制出口；托盘，位于所述刻蚀腔体内，以承托所述待处理碳化硅籽晶；阻挡片，位于所述刻蚀腔体内，并位于所述托盘的上方，所述阻挡片的下表面与所述待处理的碳化硅籽晶的上表面之间具有250μm至1000μm的间隙；控制单元，位于所述壳体内，并连接所述刻蚀腔体，以控制所述刻蚀气体刻蚀所述待处理的碳化硅籽晶，而形成预设槽沟图形。根据本实用新型提供的处理装置保证了碳化硅籽晶在后续生长中A面根据有成核和延伸的优势，避免了延C向的缺陷延伸，提高晶体质量。