本实用新型公开了一种碳化硅籽晶加工用的生长装置，包括坩埚，所述坩埚的上端设置有坩埚盖，所述坩埚盖的上端中部外表面设置有圆盘，所述圆盘的上端中部外表面固定安装有旋钮柄，所述旋钮柄的外壁设置有防滑纹，所述坩埚的内壁固定安装有一号保温层，所述一号保温层的上端中部外表面设置有籽晶托盘，所述坩埚盖的内壁固定安装有二号保温层，所述二号保温层的上端外表面固定安装有隔板。本实用新型所述的一种碳化硅籽晶加工用的生长装置，设有一号保温层、二号保温层、活性炭、一号通孔、二号通孔与圆盘，能够提高保温效果，还能吸附SiC籽晶生长过程中产生的气体，还可以实时观察SiC籽晶生长进程，带来更好的使用前景。