碳化硅籽晶
授权
摘要

本实用新型公开了一种碳化硅籽晶,所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面,所述第一表面用于生长碳化硅晶体,所述第二表面形成有多个凹槽,在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上,多个所述凹槽的截面面积逐渐减小。根据本实用新型实施例的碳化硅籽晶,根据热传递原理可知,气相热传导低于固相热传导,通过在第二表面设置凹槽,使得凹槽内具有比碳化硅籽晶导热率低的气体,由此设置凹槽处的导热速率较慢,与未设置凹槽的其他位置相比可以减少籽晶热量的耗散,减小了碳化硅籽晶表面的径向温差,实现了碳化硅蒸气在碳化硅籽晶表面均匀沉积,从而得到平整的碳化硅晶体,降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。

基本信息
专利标题 :
碳化硅籽晶
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122891375.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-23
授权号 :
CN216473579U
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
燕靖陈俊宏
申请人 :
江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
花丽
优先权 :
CN202122891375.X
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B23/00  C30B28/12  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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