一种碳化硅生产籽晶保护装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅生产籽晶保护装置，包括反应炉，所述反应炉外壁固定连接有距离传感器，所述反应炉外壁固定连接有控制面板，所述反应炉内壁开设有限位卡槽，所述限位卡槽内固定连接有气缸，所述气缸输出端固定连接有弧形板，所述弧形板远离气缸的一端固定连接有缓冲装置，所述反应炉内壁固定连接有两组防护装置，且对称分布在气缸两侧，此碳化硅生产籽晶保护装置通过距离传感器和控制面板堆气缸进行控制，使气缸运动，带动挡板运动，对籽晶起到夹持的作用，可以避免籽晶掉入熔汤里。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅生产籽晶保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921053183.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN210560881U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
徐涛梁逍
申请人 ：
天津市卓辉电子有限公司
申请人地址 ：
天津市东丽区华明高新技术产业区弘晟道2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921053183.8
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B15/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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