碳化硅籽晶粘接装置和方法
公开
摘要
本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，其中装置包括：加压机构和加热平台；加热平台用于承载并加热粘接件，加热平台可在外力作用下沿自身的竖直中心轴旋转；粘接件包括使用粘结剂粘接好的籽晶与托盘；加压机构，与加热平台同轴设置且位于加热平台上方，包括升降驱动部、加压驱动部、离心驱动部和加压盘；升降驱动部驱动加压盘的升降，当加压盘下降并接触到加热平台承载的粘接件时，利用加压驱动部对加压盘施加压力，以使加压盘对粘接件施加相同压力；利用离心驱动部驱动加压盘沿加压机构的中心轴进行离心旋转运动，使得加压盘带动加热平台进行离心旋转运动。本方案，减少粘接过程中的气泡产生，提高碳化硅单晶的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅籽晶粘接装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622285A
申请号 ：
CN202210282096.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张泽盛杨蕾
申请人 ：
北京晶格领域半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号
代理机构 ：
北京格允知识产权代理有限公司
代理人 ：
王文雅
优先权 ：
CN202210282096.X
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
